地心应用 | 掩膜光刻过程中，大中空二维运动平台提高掩膜版检测精度
光刻技术
光刻技术是一种常用于半导体制造过程中的关键技术。它是通过使用光刻机将设计好的芯片图形投射到半导体材料表面，并进行一系列加工步骤，最终形成微米纳米级别的芯片结构。
光刻技术的基本原理是利用光的特性，通过光源、掩膜、光敏材料和显影等步骤，将图案传输到待加工的基片上。光经过掩膜的透明区域照射到光敏材料上，使其发生化学或物理变化，然后通过显影去除未曝光的光敏材料，最终形成所需的图案。我们熟知的ASML就是光刻机的主要生产厂商。
光刻技术的基本原理包括以下几个步骤：
1. 掩膜制作：在一个透明基底上制作出所需的芯片图形，并将其覆盖在半导体材料上。
2. 感光剂涂覆：在半导体材料表面涂覆一层感光剂。感光剂的选择取决于波长和能量。
3. 曝光：接下来，利用光刻机将设计好的芯片图形中的UV光通过掩膜传递到感光剂上。这些光通过曝光过程，使得感光剂在光照区域发生化学或物理变化。
4. 显影：化学变化使得感光剂在光照区域变得可溶于相应的显影溶液。而未经光照的区域则保持不变，形成一种光刻图案。
5. 传递：经过显影处理后，利用化学或物理方法将光刻图案传递到半导体材料表面，例如浅刻蚀或掺杂。
6. 技术步骤重复：重复以上步骤，不断迭代，最终形成所需的芯片结构。
对掩膜版的检测主要分为以下几种方式：宏观检查：利用不同光源、光强的灯源，对掩膜版表面进行宏观（目视）检查，以确定掩膜版表面是否存在缺陷（Defect）、条纹（Mura）、颗粒（Particle）等不良。
自动光学检查（AOI检查）：利用一定波长、光强的光源获取被测产品的图形，通过传感器（摄像机）获得检测图形的照明图像并数字化，然后通过相应的逻辑及软件算法进行比较、分析和判断，以检查产品表面缺陷（Defect），如线条断线（Open）、线条短接（Short）、白凸（Intrusion）、图形缺失等。
精度测量与校准：利用高精度测量设备，对掩膜版图形的线/间（CD）精度及均匀性、总长（TP）精度、位置（Registration）精度等进行测量，以确认产品精度指标是否在要求规格内；同时利用测量设备的测量结果和相关算法，对掩膜版、设备平台进行校正和补偿，满足产品要求。
“地心科技”产品
CFTCA系列纳米级定位精度的XY一体式精密定位平台
| 平台型号\Model | CFTCA-150XY | CFTCA-250XY |
| 有效行程（mm） | 150*150 | 250*250 |
| 中空尺寸（mm） | 200*200 | 310*310 |
| 最小安全中空尺寸（mm） | 40*40 | 50*50 |
| 绝对定位精度\Accuracy | ±0.3 µm | ±0.8 µm |
| 双向重复定位精度\Bi-Repeatability | ±0.15 µm | ±0.4 µm |
| 俯仰\Pitch | 15 arc sec | 20 arc sec |
| 偏摆\Yaw | 10 arc sec | 15 arc sec |
| 正交性\Orthogonality | 15 arc sec | 15 arc sec |
| 直线度\Straightness | ±2 µm | ±4 µm |
| 平面度\Flatness | ±2 µm | ±4 µm |
| 平台重量\Stage Mass | 40kg | 70kg |
| 最大负载\Load Capacity | 20 kg | 40 kg |
测试效果
